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Informations Personnelles

Nom : Boumaraf
Prenom : Rami
Grade : M.C.B
Poste Administratif: Responsable de spécialité
Discipline de Recherche: Physique des matériaux
Facultée : Faculté des Sciences Exactes,des Sciences de la Nature et de la Vie
Laboratoire Affilié : LABORATOIRE DE MATéRIAUX SEMI CONDUCTEURS ET MéTALLIQUES

Titres Universitaires

Titre
- Licence en Physique (Physique des Matériaux)
- Master en Physique (Physique des Matériaux)
- Doctorat en Physique (Physique des Matériaux)
Année
2005-2008
2008-2010
2011-2015

Activitées d'Enseignement

Module
Département
Année

Fonctions Administratives

Fonctions Statutaires

Fonction
Année

Activitées Scientifiques

Publications

- Boumaraf, R., Sengouga, N., et al., “Deep traps and temperature effects on the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes on (211) and (311) oriented GaAs substrates”. Superlattices and Microstructures. 65(0): p. 319-331., 2014

- Sengouga, N., Boumaraf, R.,  et al., “Modeling the effect of deep traps on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates”. Materials Science in Semiconductor Processing. 36: p. 156-161., 2015

- Belkaid, K., Tati, A. & Boumaraf R., “A Simple Finite Element with Five Degrees of Freedom Based on Reddy’s Third-Order Shear Deformation Theory”. Mechanics of Composite Materials. 52(2): p. 257-270., 2016